Das herausragende Merkmal des IGCT – das zu seinem Namen und seinen Hauptvorteilen führt – ist nicht nur der Siliziumwafer selbst, sondern auch die Art und Weise, wie er durch das Gate angetrieben wird – das elektrische und mechanische Gate-Drive-Design. Das „Festplatten“-Konzept, das dem IGCT-Betrieb zugrunde liegt, erfordert die mechanische Integration von Gate-Treiber und Halbleiter in einer einzigen Einheit mit geringer Schaltkreisinduktivität. Dies beinhaltet auch eine Reihe neuer Wandlerfunktionen, die IGCT-Wandler von GTO- oder IGBT-Wandlern unterscheiden. Ziel dieses Anwendungshinweises ist es, Designer mit den Datenblättern und der Verwendung von IGCTs in ihren Hauptanwendungsbereichen vertraut zu machen.
Die folgenden Funktionen sind wichtig zu beachten:
• Bei Anwendungen ohne Reihenschaltung ist kein Abschaltdämpfer erforderlich. bei Verwendung von Abschaltdämpfern sind diese deutlich kleiner als die von GTOs
• Die kundenseitige Steuerschnittstelle reduziert sich auf eine Spannungsversorgung, einen optischen Steuereingang und einen optischen Statusrückmeldeausgang
• Die Gate-Antriebsgeometrie ist ein wichtiger Parameter beim mechanischen Stack-Design.
Es ist zu beachten, dass es sich bei „IGCT“ um eine generische Bezeichnung für das komplette Gerät handelt. „GCT“ bezieht sich auf die Halbleiter-Presspack-Komponente. Weitere Unterscheidungen können getroffen werden, um RC-IGCTs (rückwärts leitend), RB-IGCTs (rückwärts sperrend) und AS-IGCTs (asymmetrisch ohne Rückwärtssperr- oder Rückwärtsleitfähigkeit) zu unterscheiden.
