GE
IS200DSFCG1AEB
W magazynie
T/T
Xiamen
| Dostępność: | |
|---|---|
| Ilość: | |
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika GE IS200DSFCG1AEB to wyspecjalizowany sterownik bramki i moduł sprzężenia zwrotnego prądu stosowany w mostkach źródłowych i przetwornicach prądu przemiennego z modulacją szerokości impulsu (PWM) firmy GE Industrial Control Systems Innovation Series™. Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB zawiera obwód wykrywania prądu, kompleksowy obwód wykrywania usterek i dwa izolowane obwody sterujące bramką IGBT, a wszystko to zintegrowane na jednej kompaktowej płytce, którą montuje się bezpośrednio do modułów IGBT. Obwody sterownika i sprzężenia zwrotnego są izolowane galwanicznie i optycznie, co zapewnia bezpieczną i dokładną pracę w środowisku wysokiego napięcia mostka mocy przemiennika.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB została zaprojektowana specjalnie do użytku z mostkami źródłowymi PWM 1000 A i 1800 Amp Innovation Series™ oraz przetwornicami prądu przemiennego. Płyta łączy się z systemem sterowania przemiennikiem za pośrednictwem karty interfejsu osobistego mostka napędowego IS200BPIB (BPIB), która dostarcza sygnały sterujące i zasilanie do obwodów sterownika bramki oraz odbiera sygnały zwrotne o usterce i prądzie z obwodów monitorowania bocznika. Mostek lub przemiennik źródłowy 1000 A wymaga trzech płytek sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB, po jednej na fazę. Mostek lub przemiennik źródłowy 1800 A wymaga sześciu płytek sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB, z dwiema płytkami „połączonymi szeregowo” na fazę, co pozwala na współdzielenie funkcji napędu bramki i wykrywania prądu na dwóch płytkach w celu uzyskania wyższego prądu znamionowego.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB (grupa G1) jest przeznaczona do stosowania w napędach i aplikacjach źródłowych, w których napięcie wejściowe prądu przemiennego wynosi 600 V między liniami RMS. Płytka jest montowana bezpośrednio do górnego i dolnego modułu IGBT w każdej odnodze fazowej, aby zapewnić jak najkrótsze połączenia wyjściowe sterownika i wejściowe bocznika, minimalizując indukcyjność pasożytniczą i przechwytywanie szumów. Płytka jest utrzymywana na miejscu za pomocą połączeń bramki, emitera i kolektora z IGBT, przy czym właściwe ustawienie płytki jest niezbędne do prawidłowego umiejscowienia otworów montażowych bramki, emitera i kolektora.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest identyfikowana na podstawie konwencji numeracji części GE stosowanej w całej linii produktów przemysłowych systemów sterowania. Przedrostek „IS200” identyfikuje płytkę jako produkt GE Industrial Control Systems, przy czym „200” wyraźnie wskazuje, że płytka jest zespołem podstawowym. Akronim „DSFC” określa funkcjonalne oznaczenie płytki jako płyta sterownika bramki IGBT/zespołu sprzężenia zwrotnego bocznika. Oznaczenie „G1” identyfikuje grupę okuć i normalną powłokę, natomiast przyrostek „AEB” identyfikuje kombinację grafiki i wersji funkcjonalnej. Wszystkie cyfry są ważne przy zamawianiu lub wymianie dowolnej płytki, ponieważ płyty o różnych poziomach wersji mogą nie zawierać identycznego sprzętu, a GE zapewnia kompatybilność wsteczną płyt zamiennych, pamiętając jednocześnie, że różne poziomy wersji mogą nie zawierać identycznych komponentów.
To wprowadzenie do produktu zawiera szczegółowe informacje techniczne, opisy funkcjonalne, przypisania złączy, wskazówki dotyczące konfiguracji i kompleksowe specyfikacje dla płytki sprzężenia zwrotnego sterownika GE IS200DSFCG1AEB, służące jako istotne źródło informacji dla inżynierów napędów, techników utrzymania ruchu i integratorów systemów pracujących z przemysłowym sprzętem sterującym GE.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest zbudowana w oparciu o solidną architekturę do sterowania bramką IGBT, wykrywania prądu, wykrywania usterek i izolowanej transmisji sygnału. Płytka spełnia kilka odrębnych funkcji, które razem zapewniają niezawodne i dokładne sterowanie mostkiem mocy IGBT oraz precyzyjny pomiar wyjściowego prądu fazowego.
Podstawową funkcją płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest funkcja sterowania bramką dla modułów IGBT. Każdy z dwóch izolowanych obwodów sterujących bramką IGBT na płycie steruje dwoma równoległymi modułami IGBT. Jeden obwód steruje górnymi IGBT gałęzi fazowej, podczas gdy drugi steruje dolnymi IGBT. Obwody te sterują bramką IGBT pomiędzy VCC (+15 V) i VEE (-15 V) (wspólny emiter IGBT) i mają zdolność pochłaniania lub pozyskiwania maksymalnie 20 amperów w szczycie. Obwody sterujące bramki płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB są zaprojektowane do pracy z maksymalną częstotliwością przerywania PWM wynoszącą 6 kHz, odpowiednią do wymagań przełączania napędów Innovation Series™.
Diody wejściowe transoptora sterującego napędem są połączone w konfiguracji antyrównoległej, która zapewnia sterowanie górnym i dolnym napędem ze wspólnej różnicowej skrętki sterującej. Takie rozwiązanie zmniejsza liczbę wymaganych linii sterujących i upraszcza interfejs z płytą BPIB. Rezystory serii bramek i kondensatory bramka-emiter na płytce sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB są dobrane specjalnie dla modułu IGBT, zapewniając optymalną wydajność przełączania i minimalne straty.
Każde wyjście sterownika bramki na karcie sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest monitorowane, a stan sygnalizowany jest zieloną i żółtą diodą LED. Żółta dioda LED będzie WŁĄCZONA, gdy IGBT zostaną włączone, natomiast zielona dioda LED będzie WŁĄCZONA, gdy IGBT zostaną wyłączone. To wizualne wskazanie pozwala personelowi konserwacyjnemu szybko sprawdzić stan pracy każdego obwodu sterownika bramki.
Obwody sterownika na karcie sprzężenia zwrotnego bocznika sterownika IS200DSFCG1AEB mogą wykryć dwa rodzaje usterek: desaturacja i zbyt niskie napięcie. Błędy te są zgłaszane poprzez jedną „multipleksowaną” różnicową linię uszkodzeń zarówno dla górnego, jak i dolnego obwodu IGBT, co zmniejsza liczbę wymaganych sygnałów interfejsu.
Wykrywanie błędów desaturacji jest krytyczną funkcją ochronną płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB. Kiedy sterownik otrzymuje polecenie włączenia IGBT, monitorowany jest spadek napięcia pomiędzy emiterem i kolektorem IGBT. Jeśli napięcie to przekroczy 10 V przez 4 mikrosekundy, zostanie zgłoszony błąd desaturacji. Integrator RC ze stałą czasową 4 mikrosekund w obwodzie monitora desaturacji zapobiega błędnym błędom desaturacji spowodowanym szumem lub warunkami przejściowymi. W przypadku wystąpienia błędu desaturacji karta BPIB steruje płytką sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB w trybie „burst”, w którym sygnał PWM o częstotliwości 2 MHz jest używany do powolnego obniżania napięcia bramki do zera (w ciągu 2 do 5 mikrosekund), zapewniając kontrolowane wyłączenie, które minimalizuje ryzyko uszkodzenia IGBT.
Karta sprzężenia zwrotnego bocznika sterownika IS200DSFCG1AEB umożliwia także wykrywanie usterek podnapięciowych. Monitorowane jest napięcie pomiędzy dodatnim zasilaniem sterownika (+15 V, MLP15 i MUP15) a ujemnym zasilaniem sterownika (-15 V, MLN15 i MUN15). Jeśli napięcie pomiędzy zasilaniem +15 V i -15 V spadnie poniżej 20 V, wystąpi błąd zbyt niskiego napięcia. To zabezpieczenie zapewnia, że IGBT nie będzie zasilany niewystarczającym napięciem bramki, co mogłoby spowodować nadmierne rozproszenie mocy i potencjalną awarię urządzenia.
Te dwa błędy (desaturacja i podnapięcie) są ze sobą logicznie połączone OR i optycznie połączone z interfejsem sterownika różnicowego z logiką sterowania. Transoptor w stanie OK będzie włączony (wyjście niskie). Odwrócenie polaryzacji 5 V spowoduje wyłączenie urządzenia, które było włączone i włączenie sterownika, który był wyłączony. Kiedy napęd jest początkowo włączany, obie linie sterujące utrzymywane są na tym samym potencjale, aby ustawić obwody napędu górnej i dolnej bramki w stanie WYŁĄCZONYM. Ponadto, gdy przemiennik pracuje, obie linie sterujące utrzymywane są na tym samym potencjale przez pewien okres czasu (czas oczekiwania), aby zapewnić, że górny lub dolny IGBT gałęzi fazowej zostanie wyłączony, zanim inne zostaną wydane polecenie włączenia. Czas przebywania jest kontrolowany przez płytkę BPIB, zapewniając bezpieczną komutację fazy.
Drugą ważną funkcją płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest sprzężenie zwrotne prądu bocznikowego. Wyjściowy prąd fazowy jest monitorowany poprzez wyprowadzanie sygnału wyjściowego VCO z napięcia opadającego na bocznik fazowy. Napięcie to jest wzmacniane, a następnie przekazywane do obwodu VCO. VCO ma zakres 0–2 MHz, a obwód jest spolaryzowany tak, że przy zerowym prądzie nominalna moc wyjściowa wynosi 1 MHz. Napięcie bocznikowe ±200 mV jest przekształcane na zmianę częstotliwości wyjściowej VCO o ±800 kHz. Wyjście VCO jest optycznie połączone z różnicowym interfejsem sterownika do logiki sterującej, zapewniając dokładną i odporną na zakłócenia transmisję bieżącego sygnału sprzężenia zwrotnego.
Obwód sprzężenia zwrotnego prądu na karcie sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB może spowodować dwa błędy: DI/DT i chwilowe przetężenie prądu (IOC). Błąd DI/DT jest generowany, gdy nastąpi zmiana skokowa znamionowego prądu bocznikowego o 100% lub więcej i błąd ten jest zgłaszany w ciągu 25 mikrosekund. Błąd IOC jest zgłaszany, jeśli prąd przekracza ustalony próg chwilowy. Te funkcje ochronne zapewniają ochronę przemiennika przed warunkami przetężenia i szybkimi stanami przejściowymi prądu, które mogłyby uszkodzić IGBT lub obciążenie.
Architektura zasilania płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB została zaprojektowana w celu zapewnienia izolowanego, regulowanego zasilania obwodów napędu bramki, obwodów sprzężenia zwrotnego prądu bocznikowego i obwodów wykrywania usterek. Strona wysokiego napięcia każdego z obwodów sterownika/monitora jest zasilana przez transformator izolujący, zapewniający izolację galwaniczną pomiędzy stroną sterującą a stroną zasilania wysokiego napięcia.
Uzwojenie pierwotne transformatora izolującego jest podłączone do napięcia szczytowego ±17,7 V (międzyszczytowego 35,4 V), fali prostokątnej 25 kHz. Dwa z trzech uzwojeń wtórnych są prostowane półfalowo i filtrowane, aby zapewnić izolowane napięcie +15 V (VCC) i -15 V (VEE) wymagane przez górny i dolny obwód sterownika IGBT. Zasilacze te są nieregulowane, z tolerancją ±5% i średnim maksimum 1 A dla każdego napięcia. Trzecia część wtórna jest prostowana pełnookresowo i filtrowana, aby zapewnić izolowane napięcie ±12 V wymagane przez obwód VCO ze sprzężeniem zwrotnym prądu bocznikowego i obwód wykrywania usterek, z tolerancją ±10% i średnim maksimum 100 mA dla każdego napięcia.
Obwód bocznikowy wymaga również lekkiego zasilania logicznego 5 V, które jest generowane przez regulator liniowy 5 V podłączony do zasilania +12 V. To zasilanie ma tolerancję ±10% i średnie maksimum 100 mA. Regulowane jest tylko zasilanie 5 V; pozostałe źródła zasilania są nieregulowane, ale filtrowane w celu zapewnienia akceptowalnego poziomu tętnień i szumów.
Maksymalne obciążenie zasilaczy karty sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest następujące: ±17,7 V przy 0,65 A RMS i +5 V przy 150 mA. Parametry te zapewniają, że płytka może dostarczyć wymaganą moc do obwodów napędu bramki i obwodów sprzężenia zwrotnego w każdych warunkach pracy.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB zapewnia kompleksowy zestaw złączy, które łączą się z modułami IGBT, płytą BPIB, bocznikiem prądowym, czujnikami RTD i połączoną łańcuchowo płytką DSFC w zastosowaniach 1800 A. Każde złącze pełni określoną funkcję w całym łańcuchu sygnałowym, a zrozumienie przypisań złączy jest niezbędne do instalacji, konserwacji i rozwiązywania problemów.
Napięcia obwodu prądu stałego i linia wykrywania napięcia fazy wyjściowej są podłączone do zacisków statycznych na karcie sprzężenia zwrotnego bocznika sterownika IS200DSFCG1AEB. Styk E1 zapewnia wyjściową linię wykrywania napięcia fazowego (MVFB), styk E17 zapewnia dodatnie napięcie obwodu pośredniego (DCLP), a styk E18 zapewnia ujemne napięcie łącza DC (DCLN). Te połączenia typu Stab zapewniają niezawodne połączenia o niskiej impedancji dla sygnałów wysokiego napięcia.
Wszystkie połączenia z IGBT są wykonywane za pomocą elementów montażowych poprzez oczka montażowe na płytce sprzężenia zwrotnego bocznika sterownika IS200DSFCG1AEB. Połączenia oczkowe obejmują górne dodatnie ogniwo kolektora (UC), górną bramkę urządzenia A (UGA), górny emiter urządzenia A (UEA), górną bramkę urządzenia B (UGB), górny emiter urządzenia B (UEB), dolną bramkę urządzenia A (LGA), dolny emiter urządzenia A (LEA), dolną bramkę urządzenia B (LGB), dolny emiter urządzenia B (LEB) i dolne łącze emitera ujemne (LE). Te połączenia oczkowe są zabezpieczone łącznikami niewypadającymi i podczas instalacji dokręcane momentem 70 funtów na cal.
Wszystkie pozostałe wejścia i wyjścia płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB są wykonane na ośmiu złączach wtykowych: PPL1, PPL2, SHPL, THPL, THPL1, THPL2, DPPL1 i DPPL2. Złącze PPL1 zapewnia wejście/wyjście interfejsu fazowego z płytką interfejsu personalizacji mostka przemiennika IS200BPIB, przenoszącą dodatnie i ujemne sygnały bocznika VCO, dodatnie i ujemne sygnały uszkodzenia bocznika, ujemne sygnały zwarcia górnego i dodatnie zwarcia dolnego, interfejs +5 V i wspólny oraz górne i dolne sygnały sterujące. Złącze PPL2 zapewnia wejście/wyjście interfejsu fazowego z połączoną łańcuchowo płytką sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB w zastosowaniach 1800 A, przenoszącą te same sygnały z drugiej płytki.
Złącze SHPL zapewnia połączenie wejściowe bocznika z bocznikiem prądowym, przy czym styk 1 zapewnia połączenie po stronie silnika bocznikowego (MSHM), a styk 2 zapewnia połączenie po stronie mostka bocznikowego (MSCOM). Złącza THPL, THPL1 i THPL2 zapewniają połączenia rezystancyjnego detektora termicznego (RTD) z czujnikiem RTD lub połączenie przelotowe z BPIB dla połączonej szeregowo płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB w zastosowaniach 1800 A. Złącza DPPL1 i DPPL2 zapewniają szczytowe połączenie zasilania o fali prostokątnej 18,4 V AC z BPIB lub połączenie przelotowe z BPIB dla płytki połączonej łańcuchowo.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB zawiera pięć wskaźników LED (DS1, DS2, DS3, DS4 i DS5), które zapewniają wizualne wskazanie stanu łącza DC oraz stanu górnego i dolnego sterownika IGBT. DS1 to czerwona dioda monitorująca łącze DC LINK POWYŻEJ 50 V, która świeci się, gdy napięcie w obwodzie prądu stałego jest większe niż 50 V i gaśnie, gdy napięcie w obwodzie prądu stałego jest mniejsze niż 50 V. Wskaźnik ten zapewnia wyraźne ostrzeżenie o obecności niebezpiecznego napięcia w obwodzie prądu stałego.
DS2 to zielona dioda LED monitora górnego sterownika (UFF), która świeci się, gdy górne IGBT są wyłączane i wyłącza się, gdy górne IGBT są włączane. DS3 to zielona dioda LED monitorująca dolny sterownik (LFF), która świeci się, gdy dolne IGBT są wyłączane i wyłącza się, gdy dolne IGBT są włączane. DS4 to żółta dioda LED monitora górnego sterownika (UON), która świeci się, gdy górne IGBT są włączane i wyłączane, gdy górne IGBT są wyłączane. DS5 to żółta dioda LED monitorująca dolny sterownik (LON), która świeci się, gdy dolne IGBT są włączane i wyłączane, gdy dolne IGBT są wyłączane. Wskaźniki te umożliwiają personelowi konserwacyjnemu szybką weryfikację stanu pracy każdego obwodu sterownika bramy i diagnozowanie usterek napędu bramy.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB zawiera złącza wtykowe i zatrzaskowe, złącza oczkowe do montażu na IGBT oraz wskaźniki LED stanowiące część płytki. Na płycie nie ma konfigurowalnych elementów sprzętowych ani bezpieczników, co upraszcza instalację i zmniejsza ryzyko błędów konfiguracyjnych. Płytka jest fabrycznie skonfigurowana dla konkretnego modułu IGBT i aplikacji i nie jest wymagana żadna regulacja w terenie.
Płytka jest montowana bezpośrednio do górnego i dolnego modułu IGBT w każdej odnodze fazowej, aby zapewnić jak najkrótsze połączenia wyjściowe sterownika i wejścia bocznikowego. Płytka jest utrzymywana na miejscu za pomocą połączeń bramki, emitera i kolektora z IGBT, przy czym właściwe ustawienie płytki jest niezbędne do prawidłowego umiejscowienia otworów montażowych bramki, emitera i kolektora. Elementy montażowe są zabezpieczone dziesięcioma nakrętkami na połączeniach oczkowych, dokręconymi momentem 70 cali-funtów.
Karta sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB jest integralnym elementem mostków źródłowych PWM i przetwornic częstotliwości AC firmy GE Innovation Series™, zapewniającym sterowanie bramką i funkcje prądowego sprzężenia zwrotnego, które są niezbędne do działania mostka mocy IGBT. Jego zastosowania obejmują mostki źródłowe i napędy 1000 A i 1800 A, gdzie kompaktowy rozmiar płytki, wysoka izolacja i solidne możliwości wykrywania usterek zapewniają niezawodną i bezpieczną pracę.
W zastosowaniach 1000 A używane są trzy płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB, po jednej na fazę. Każda płytka steruje górnym i dolnym tranzystorem IGBT swojej gałęzi fazowej i zapewnia prądowe sprzężenie zwrotne z bocznika fazowego. W zastosowaniach 1800 A stosuje się sześć płytek, po dwie połączone szeregowo na fazę. Połączenie łańcuchowe pozwala na współdzielenie funkcji napędu bramki i wykrywania prądu na dwóch płytach, zapewniając dodatkową wydajność prądową wymaganą dla wyższej mocy znamionowej.
Karta sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB łączy się z systemem sterowania przemiennika za pośrednictwem karty interfejsu osobowości mostka przemiennika IS200BPIB, która dostarcza sygnały sterujące i zasilanie do obwodów sterownika bramki oraz odbiera sygnały zwrotne o usterce i prądzie z obwodów monitorowania bocznika. Płyta BPIB kontroluje również czas przebywania pomiędzy górnymi i dolnymi przejściami przełączającymi IGBT, zapewniając bezpieczną komutację fazy.
Znajdujące się na płycie funkcje wykrywania uszkodzeń związanych z desaturacją i spadkiem napięcia zapewniają krytyczną ochronę tranzystorów IGBT, zapobiegając uszkodzeniom spowodowanym stanami przetężenia, niewystarczającym napięciem sterującym bramki i innymi stanami awaryjnymi. Funkcje wykrywania błędów DI/DT i IOC zapewniają dodatkową ochronę przemiennika i obciążenia, zapewniając wykrycie i zgłoszenie warunków przetężenia w wymaganym czasie reakcji.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB została zaprojektowana z myślą o długiej żywotności przy minimalnej konserwacji. Płyta nie zawiera ruchomych części ani elementów regulowanych przez użytkownika, a jej półprzewodnikowa konstrukcja zapewnia wysoką niezawodność w ciągłej pracy przemysłowej.
Rutynowa konserwacja obejmuje okresową kontrolę wzrokową płytki, złączy i elementów montażowych. Należy sprawdzić wskaźniki LED, aby sprawdzić poprawność działania sterowników bramki i monitora napięcia obwodu pośredniego. Nakrętki mocujące na połączeniach oczkowych należy sprawdzić pod kątem prawidłowego momentu obrotowego (70 cali-funtów), a złącza wtykowe należy sprawdzić pod kątem oznak uszkodzeń, luźnych połączeń lub zanieczyszczeń.
Jeśli płyta ulegnie awarii, wymiana jest prosta, ale wymaga szczególnej uwagi i przestrzegania procedur bezpieczeństwa. Po wyłączeniu całego zasilania przemiennika i odczekaniu kilku minut na rozładowanie wszystkich kondensatorów, przed dotknięciem ich przetestuj obwody elektryczne, aby upewnić się, że zasilanie jest wyłączone. Odłącz wszystkie kable od płytki sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB, sprawdzając, czy kable są oznaczone prawidłową nazwą złącza. Odkręć dziesięć nakrętek z połączeń oczkowych mocujących płytkę do tranzystorów IGBT, uważając, aby nie upuścić elementów montażowych do modułu. Wyjmij starą płytkę ze kołków montażowych IGBT, ustaw nową płytkę w tej samej pozycji i zabezpiecz dziesięcioma nakrętkami dokręconymi momentem 70 cali-funtów. Podłącz ponownie wszystkie kable zgodnie z oznaczeniami, upewniając się, że kable są prawidłowo podłączone na obu końcach, a następnie zamknij wszystkie drzwi szafy przemiennika i sprzętu.
Firma GE Industrial Control Systems zapewnia kompatybilność swoich płytek zamiennych, nawet jeśli płyty o różnych poziomach wersji mogą nie zawierać identycznego sprzętu. Zamawiając zamienną kartę sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB, należy podać pełny numer części i opis, numer seryjny przemiennika oraz numer listy materiałów przemiennika (ML). Fabryka może zastąpić nowsze wersje w zależności od dostępności i ulepszeń konstrukcyjnych, ale gwarantowana jest kompatybilność wsteczna płyt zamiennych.
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika GE IS200DSFCG1AEB to niezawodny, solidny i wysoce zintegrowany sterownik bramki oraz moduł sprzężenia zwrotnego prądu dla mostków źródłowych PWM i przetwornic częstotliwości GE Innovation Series™. Wszechstronny napęd bramki, wykrywanie usterek, wykrywanie prądu i możliwości izolowanej transmisji sygnału zapewniają dokładne i bezpieczne sterowanie mostkiem mocy IGBT, podczas gdy jego niewielkie rozmiary i bezpośredni montaż na modułach IGBT minimalizują indukcyjność pasożytniczą i przechwytywanie szumów. Znajdujące się na płycie funkcje wykrywania desaturacji, zbyt niskiego napięcia, DI/DT i IOC zapewniają krytyczną ochronę tranzystorów IGBT i przemiennika, zapewniając wysoką niezawodność i dostępność systemu.
Dzięki standardowym złączom, wyraźnie oznakowanym wskaźnikom LED i wszechstronnemu raportowaniu usterek, płytka sprzężenia zwrotnego bocznika sterownika IS200DSFCG1AEB jest niezbędnym elementem w niezliczonych przemysłowych instalacjach napędowych na całym świecie. Wspierana przez wysokiej jakości produkcję GE, globalną sieć wsparcia i zaangażowanie w kompatybilność wsteczną, płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB w dalszym ciągu zapewnia wydajność, trwałość i łatwość obsługi, których oczekują użytkownicy przemysłowi od GE. Niezależnie od tego, czy jest używana w nowej instalacji, czy jako zamiennik istniejącej płytki, płytka sprzężenia zwrotnego sterownika IS200DSFCG1AEB zapewnia napęd bramki i funkcjonalność sprzężenia zwrotnego prądowego wymagane do niezawodnego i wydajnego sterowania napędem przemysłowym.
Kategoria specyfikacji |
Parametr |
Wartość / opis |
|---|---|---|
Ogólny |
||
Nazwa produktu |
Płytka sprzężenia zwrotnego sterownika bocznika GE IS200DSFCG1AEB |
|
Deska Rodzina |
DSFC (sterownik bramki IGBT/płytka sprzężenia zwrotnego bocznika) |
|
Typ płyty |
Płyta sterownika bramki IGBT/bocznika 1000/1800 A |
|
Grupa / Wersja |
Grupa G1, powłoka normalna, przyrostek wersji AEB |
|
Aplikacje |
Mostki źródłowe i przetwornice prądu przemiennego Innovation Series™ PWM |
|
Napięcie wejściowe AC |
600 V międzyfazowe RMS |
|
Identyfikacja Zarządu |
Alfanumeryczny numer części wybity na krawędzi płytki |
|
Oprogramowanie sprzętowe |
Brak (przedrostek IS200 wskazuje montaż na poziomie podstawowym) |
|
Obwody napędu bramy |
||
Liczba izolowanych obwodów |
Po dwa na deskę |
|
IGBT sterowane na obwód |
Dwa równoległe moduły IGBT |
|
Napięcie napędu bramy |
VCC (+15 V) do VEE (-15 V) (wspólny emiter IBT) |
|
Szczytowy prąd ujścia/źródła |
Maksymalnie 20 amperów |
|
Maksymalna częstotliwość PWM |
6 kHz |
|
Wejście sterujące |
Diody wejściowe z transoptorem antyrównoległym ze wspólnej skrętki różnicowej |
|
Rezystory bramkowe i kondensatory |
Rozmiar dostosowany specjalnie do modułu IGBT |
|
Monitorowanie napędu bramy |
||
Żółta dioda LED (UON/LON) |
WŁ., gdy tranzystory IGBT są włączone |
|
Zielona dioda LED (UFF/LFF) |
WŁ., gdy IGBT są wyłączone |
|
Wykrywanie usterek |
||
Błąd desaturacji |
Wyzwalane, gdy VCE przekracza 10 V przez 4 mikrosekundy |
|
Reakcja na błąd desaturacji |
Tryb impulsowy: PWM 2 MHz doprowadza napięcie bramki do zera w ciągu 2–5 mikrosekund |
|
Błąd zbyt niskiego napięcia |
Wyzwalane, gdy napięcie zasilania od +15 V do -15 V spadnie poniżej 20 V |
|
Zgłaszanie usterek |
Logicznie OR, optycznie sprzężony z różnicowym interfejsem sterownika |
|
Stan transoptora OK |
ON (wyjście niskie) |
|
Polaryzacja linii sterującej |
Odwrócenie polaryzacji 5 V wyłącza urządzenie, które było WŁĄCZONE i włącza sterownik, który był WYŁĄCZONY |
|
Czas przebywania |
Kontrolowane przez kartę BPIB w celu zapewnienia bezpiecznej komutacji |
|
Bocznikowe sprzężenie zwrotne prądu |
||
Zakres wyjściowy VCO |
0–2 MHz |
|
Zerowy prąd wyjściowy |
Nominalna częstotliwość 1 MHz |
|
Zakres napięcia bocznikowego |
±200 mV |
|
Zmiana częstotliwości |
±800 kHz dla napięcia bocznikowego ±200 mV |
|
Interfejs wyjściowy |
Optycznie sprzężony z różnicowym interfejsem sterownika |
|
Bieżące wykrywanie usterek |
||
Błąd DI/DT |
Wyzwalane przez skokową zmianę znamionowego prądu bocznikowego o 100% lub więcej |
|
Czas reakcji DI/DT |
W ciągu 25 mikrosekund |
|
Błąd MKOl |
Wyzwalane przez chwilowe przetężenie |
|
Zasilacze |
||
Pierwotny transformator izolujący |
±17,7 V szczytowe (35,4 V międzyszczytowe), fala prostokątna 25 kHz |
|
Izolowane +15 V (VCC) |
Nieuregulowane, ±5%, średnio maksymalnie 1 A |
|
Izolowane −15 V (VEE) |
Nieuregulowane, ±5%, średnio maksymalnie 1 A |
|
Izolowane ±12 V |
Nieregulowane, ±10%, średnio maksymalnie 100 mA każdy |
|
Izolowana logika +5 V |
Regulowany regulatorem liniowym od +12 V, ±10%, średnio maksymalnie 100 mA |
|
Maksymalne obciążenie |
±17,7 V przy 0,65 A RMS; +5 V przy 150 mA |
|
Złącza |
||
PPL1 |
Interfejs fazowy I/O z BPIB; 16 pinów |
|
PPL2 |
We/wy interfejsu fazowego z połączoną szeregowo płytą DSFC; 16 pinów |
|
SHPL |
połączenie wejściowe bocznika; 2 szpilki |
|
THPL, THPL1, THPL2 |
połączenia RTD; Po 2 piny każdy |
|
DPPL1, DPPL2 |
Połączenia zasilania szczytowego prądu przemiennego 18,4 V AC; Po 2 piny każdy |
|
Połączenia przebijane |
||
E1 |
Linia wykrywania napięcia fazy wyjściowej (MVFB) |
|
E17 |
Napięcie obwodu pośredniego, dodatnie (DCLP) |
|
E18 |
Napięcie obwodu pośredniego, ujemne (DCLN) |
|
Połączenia oczkowe z IGBT |
||
Uniwersytet Kalifornijski |
Górne łącznik kolektora dodatni |
|
UGA |
Górna bramka urządzenia A (mocowanie niewypadające) |
|
UEA |
Górny emiter urządzenia A (mocowanie uwięzione) |
|
UGB |
Górna bramka urządzenia B (mocowanie niewypadające) |
|
UEB |
Emiter urządzenia górnego B (łącznik niewypadający) |
|
LGA |
Dolna bramka urządzenia A (blokada) |
|
POLANKA |
Dolny emiter urządzenia A (łącznik uwięziony) |
|
LGBT |
Dolna bramka urządzenia B (mocowanie niewypadające) |
|
LEB |
Dolny emiter urządzenia B (łącznik uwięziony) |
|
LE |
Dolne łącze emitera ujemne |
|
Wskaźniki LED |
||
DS1 |
LINK POWYŻEJ 50V monitor łącza czerwona dioda LED; WŁ.: obwód DC > 50 V; WYŁ.: Obwód DC < 50 V |
|
DS2 |
Górna dioda monitora kierowcy, zielona dioda LED (UFF); WŁ.: górne IGBT wyłączone |
|
DS3 |
Zielona dioda LED dolnego monitora kierowcy (LFF); WŁ.: dolne IGBT wyłączone |
|
DS4 |
Górny monitor kierowcy, żółta dioda LED (UON); WŁ.: górne IGBT włączone |
|
DS5 |
Dolny monitor kierowcy, żółta dioda LED (LON); ON: dolne IGBT są włączone |
|
Środowiskowy |
||
Temperatura pracy |
0°C do +60°C (32°F do 140°F) |
|
Temperatura przechowywania |
-40°C do +85°C (-40°F do +185°F) |
|
Wilgotność |
5% do 95% bez kondensacji |
|
Fizyczny |
||
Montowanie |
Bezpośrednio do górnych i dolnych modułów IGBT w każdej odnodze fazowej |
|
Elementy montażowe |
Dziesięć nakrętek na połączeniach oczkowych, dokręconych momentem 70 cali-funtów |
|
Orientacja |
Właściwa orientacja jest niezbędna dla otworów montażowych bramki, emitera i kolektora |
|
Gwarancja i wsparcie |
||
Wymienne komponenty |
Brak konfigurowalnych elementów sprzętowych i bezpieczników; płyta wymieniona jako całość |
|
Gwarancja |
Zgodnie z Regulaminem GE Industrial Control Systems |
|
Kontakt z pomocą techniczną |
GE Industrial Control Systems Product Service Engineering, 1501 Roanoke Blvd., Salem, VA 24153-6492 USA |
|
Telefon wsparcia |
+1 540 387 7595 |
|
Wsparcie faksu |
+1 540 387 8606 |
|
Wymagane informacje |
Pełny numer części i opis, numer seryjny przemiennika, numer listy materiałów przemiennika (ML). |
|
Informacje o zamawianiu |
||
Numer części |
IS200DSFCG1AEB |
|
Podział numerów części |
IS = GE w Salem, Wirginia; 200 = montaż na poziomie podstawowym; DSFC = akronim zarządu; G = normalna powłoka; 1 = grupa; A = wersja graficzna (kompatybilna wstecz); E = wersja funkcjonalna 1 (kompatybilna wstecz); B = wersja funkcjonalna 2 (niekompatybilna wstecz) |
|
Uwaga dotycząca zamówienia |
Wszystkie cyfry są ważne; fabryka może zastąpić nowsze wersje kompatybilnością wsteczną |